对比图
描述 低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 Low VCEsat (BISS) transistorsPNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 晶体管双极性晶体管
引脚数 6 6
封装 SSOT SOT-457
安装方式 - Surface Mount
极性 PNP, P-Channel PNP
耗散功率 1.10 W -
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V
集电极最大允许电流 2A 2A
最小电流放大倍数(hFE) - 145 @1A, 2V
额定功率(Max) - 1.1 W
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
耗散功率(Max) - 2.5 W
封装 SSOT SOT-457
长度 - 3.1 mm
宽度 - 1.7 mm
高度 - 1 mm
产品生命周期 Unknown Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
工作温度 - 150℃ (TJ)