BSS138AKA和SN7002NH6327XTSA2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS138AKA SN7002NH6327XTSA2 2N7002

描述 NXP  BSS138AKA  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 2.7 ohm, 10 V, 1.2 VSN7002N 系列 60 V 5 Ohm N沟道 SIPMOS® 小信号-晶体管 - PG-SOT-23STMICROELECTRONICS  2N7002  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 mA, 60 V, 1.8 ohm, 10 V, 2.1 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 2.7 Ω 2.5 Ω 1.8 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 360 mW 0.36 W 360 mW

阈值电压 1.2 V 1.4 V 2.1 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 0.2A 0.2A 200 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 200 mA

漏源击穿电压 - - 60.0 V

栅源击穿电压 - - ±18.0 V

上升时间 - 3.2 ns 15 ns

输入电容(Ciss) - 45pF @25V(Vds) 43pF @25V(Vds)

下降时间 - 3.6 ns 8 ns

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 360mW (Ta) 350mW (Tc)

额定功率 - 0.36 W -

额定功率(Max) - 360 mW -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.3 mm -

高度 - 1.1 mm -

产品生命周期 Unknown Active Not Recommended for New Designs

包装方式 - Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2014/06/16

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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