STU10NM60N和STU27N3LH5

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STU10NM60N STU27N3LH5 STU75N3LLH6-S

描述 N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsIPAK N-CH 30V 27AN沟道30 V , 0.0042 I© , 75 A, DPAK , TO- 220 , IPAK ,短IPAK N-channel 30 V, 0.0042 Ω, 75 A, DPAK, TO-220, IPAK, Short IPAK

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3

引脚数 3 - -

极性 N-Channel N-CH -

耗散功率 70 W 30W (Tc) 60W (Tc)

漏源极电压(Vds) 600 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 10A 27A -

输入电容(Ciss) 540pF @50V(Vds) 475pF @25V(Vds) 1690pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 70W (Tc) 30W (Tc) 60W (Tc)

漏源极电阻 0.53 Ω - 4.2 mΩ

阈值电压 3 V - -

上升时间 12 ns - -

额定功率(Max) 70 W - -

下降时间 15 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

漏源击穿电压 - - 30 V

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3

长度 6.6 mm - -

宽度 2.4 mm - -

高度 6.9 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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