IRLML6302PBF和IRLML6302TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLML6302PBF IRLML6302TRPBF TP0101K-T1-E3

描述 INFINEON  IRLML6302PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 600 mA, -20 V, 600 mohm, -4.5 V, -1.5 VP沟道 -20 V 540 mW 2.4 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3VISHAY  TP0101K-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -580 mA, -20 V, 420 mohm, -4.5 V, 700 mV

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3 TO-236

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.6 Ω 0.6 Ω 420 mΩ

极性 P-CH P-Channel P-Channel

耗散功率 400 mW 540 mW 350 mW

阈值电压 - - 700 mV

栅电荷 - - 1.40 nC

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

栅源击穿电压 - - ±8.00 V

连续漏极电流(Ids) 0.78A 0.78A -580 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

额定功率 0.54 W 0.54 W -

上升时间 - 18 ns -

热阻 - 230℃/W (RθJC) -

输入电容(Ciss) 97pF @15V(Vds) 97pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) - 540 mW -

下降时间 - 22 ns -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 540 mW 540 mW -

封装 SOT-23 SOT-23-3 TO-236

长度 3.05 mm 2.9 mm -

宽度 1.4 mm 1.3 mm -

高度 1.01 mm 1.1 mm -

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active Active -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

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