MSD42WT1G和PMSTA42,115

对比图

型号 MSD42WT1G PMSTA42,115 MSD42WT1

描述 NPN硅通用高压晶体管 NPN Silicon General Purpose High Voltage TransistorsSC-70 NPN 300V 0.1ANPN硅通用高压晶体管 NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SC-70-3 SOT-323-3 SC-70-3

频率 - 50 MHz -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 450 mW 0.2 W -

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V 300 V

集电极最大允许电流 0.15A 0.1A 0.15A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @30mA, 10V 40 @30mA, 10V 40 @30mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) - 25 @1mA, 10V -

额定功率(Max) 150 mW 200 mW 150 mW

耗散功率(Max) 150 mW 200 mW -

额定电压(DC) 300 V - 300 V

额定电流 150 mA - 150 mA

无卤素状态 Halogen Free - -

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 40 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

宽度 1.24 mm 1.35 mm -

封装 SC-70-3 SOT-323-3 SC-70-3

长度 2.1 mm - -

高度 0.85 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 EAR99 - -