DS1258Y和DS1258W-100#

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1258Y DS1258W-100# DS1258Y-100

描述 128K x 16 Nonvolatile SRAMNVRAM NVSRAM Parallel 2M-Bit 3.3V 40Pin PDIPIC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIP

数据手册 ---

制造商 Dallas Semiconductor (达拉斯半导体) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 - PDIP-40 DIP-40

引脚数 - - 40

电源电压 - 3V ~ 3.6V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(DC) - - 5.00 V, 5.50 V (max)

时钟频率 - - 100 GHz

存取时间 - - 100 ns

内存容量 - - 2000000 B

封装 - PDIP-40 DIP-40

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 - RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - 无铅 Contains Lead

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