FDR838P和TPS1100DR

对比图

型号 FDR838P TPS1100DR FDS6575

描述 P沟道2.5V指定PowerTrenchTM MOSFET P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDS6575, 10 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SMD-8 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 - 8 8

额定电压(DC) -20.0 V - -

额定电流 -8.00 A - -

漏源极电阻 17.0 mΩ - 0.0085 Ω

极性 P-Channel P-Channel -

耗散功率 1.8W (Ta) 0.791 W 2.5 W

输入电容 3.30 nF - -

栅电荷 30.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 20 V 15 V 20 V

漏源击穿电压 -200 V - -

栅源击穿电压 ±8.00 V - -

连续漏极电流(Ids) 8.00 A 1.6A -

上升时间 20.0 ns 10 ns 9 ns

输入电容(Ciss) 3300pF @10V(Vds) - 4951pF @10V(Vds)

耗散功率(Max) 1.8W (Ta) 791mW (Ta) 2500 mW

针脚数 - - 8

阈值电压 - - 600 mV

额定功率(Max) - 791 mW 1.2 W

下降时间 - 2 ns 78 ns

工作温度(Max) - 125 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -55 ℃

通道数 - 1 -

封装 SMD-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm 5 mm

宽度 - 3.91 mm 4 mm

高度 - 1.75 mm 1.5 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -