DS1245W-150和DS1245W-100+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1245W-150 DS1245W-100+ DS1245W-150+

描述 NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 3.3V 32Pin EDIPMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245W-100+  芯片, 存储器, SRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245W-150+  芯片, 存储器, SRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 32 32 32

封装 DIP-32 DIP-32 EDIP-32

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max)

针脚数 - 32 32

时钟频率 150 GHz 100 GHz 150 GHz

存取时间 150 ns 100 ns 150 ns

内存容量 1000000 B 1000000 B 1000000 B

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) 3 V 3 V 3 V

封装 DIP-32 DIP-32 EDIP-32

长度 43.69 mm - 43.69 mm

宽度 18.8 mm - 18.8 mm

高度 9.4 mm - 9.4 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台