J174和J176,126

对比图

型号 J174 J176,126 J175

描述 JFET JFET P-Channel -30V 50mA 360mW 3.27mWTrans JFET P-CH 30V 35mA Si 3Pin SPT AmmoP-channel silicon field-effect transistors

数据手册 ---

制造商 InterFET NXP (恩智浦) Philips (飞利浦)

分类 JFET晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 TO-92-3 TO-226-3 -

漏源极电阻 85 Ω 250 Ω -

漏源极电压(Vds) - 30 V -

击穿电压 - 30 V -

输入电容(Ciss) - 8pF @10V(Vgs) -

额定功率(Max) - 400 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率 360 mW - -

漏源击穿电压 15 V - -

栅源击穿电压 30 V - -

宽度 - 4.2 mm -

封装 TO-92-3 TO-226-3 -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 Bulk Tape & Box (TB) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -