BF862,215和BF862,235

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF862,215 BF862,235 BF862

描述 NXP  BF862,215  射频场效应管, JFET, N沟道, 20V, 25mA, 3-SOT-23, 整卷晶体管, JFET, -20 V, 10 mA, 25 mA, -1.2 V, SOT-23, JFETN-channel junction FET

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Philips (飞利浦)

分类 JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 -

安装方式 Surface Mount - -

额定电流 25 mA 25 mA -

耗散功率 300 mW 300 mW -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

额定电压 20 V 20 V -

击穿电压 -20.0 V - -

极性 N-Channel - -

漏源击穿电压 20 V - -

栅源击穿电压 20 V - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 300 mW - -

高度 1 mm 1 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 -

长度 3 mm - -

宽度 1.4 mm - -

重量 0.003215970116 kg 0.003215970116 kg -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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