SPI15N65C3和STW19NM65N

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPI15N65C3 STW19NM65N STI19NM65N

描述 Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能STW19NM65N系列 N沟道 650 V 0.27 Ohm MDmesh 功率MOSFET - TO-247-3N沟道650 V - 0.25 Ω - 15.5 - TO- 220 / FP -D2 / I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-247-3 TO-262-3

引脚数 3 - -

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 156 W 150W (Tc) 150W (Tc)

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 15.0 A 15.5A 15.5A

输入电容(Ciss) 1600pF @25V(Vds) 1900pF @50V(Vds) 1900pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 156 W 150 W -

耗散功率(Max) 156 W 150W (Tc) 150W (Tc)

上升时间 14 ns - -

下降时间 11 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-262-3 TO-247-3 TO-262-3

长度 10.2 mm - -

宽度 4.5 mm - -

高度 9.45 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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