对比图
型号 RFP12N10L RLP1N06CLE RFP50N06
描述 ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFP12N10L, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装1A ， 55V ， 0.750欧姆，电压钳位，电流限制， N沟道功率MOSFET 1A, 55V, 0.750 Ohm,Voltage Clamping, Current Limited, N-Channel Power MOSFETON Semiconductor MegaFET 系列 Si N沟道 MOSFET RFP50N06, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Intersil (英特矽尔) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole - Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 - TO-220-3
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.2 Ω - 0.022 Ω
耗散功率 60 W - 131 W
阈值电压 2 V - 4 V
漏源极电压(Vds) 100 V - 60 V
上升时间 70 ns - 55 ns
输入电容(Ciss) 900pF @25V(Vds) - 2020pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 60 W - 131 W
下降时间 80 ns - 13 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 60000 mW - 131 W
长度 10.67 mm - 10.67 mm
宽度 4.83 mm - 4.83 mm
高度 9.4 mm - 9.4 mm
封装 TO-220-3 - TO-220-3
材质 Silicon - Silicon
工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Rail, Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free