STD86N3LH5和STD96N3LLH6

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STD86N3LH5 STD96N3LLH6 IRLR3114ZPBF

描述 N沟道30 V , 0.0045欧姆, 80 A, DPAK的STripFET V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0045 Ohm , 80 A, DPAK STripFET V Power MOSFETN沟道30 V , 0.0037 I© , 80 A, DPAK STripFETâ ?? ¢六DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0037 Ω, 80 A, DPAK STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFETN沟道 40V 42A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

通道数 - 1 -

极性 - N-CH N-Channel

耗散功率 70 W 70 W 140 W

阈值电压 1.8 V 2.5 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 40 V

连续漏极电流(Ids) - 80A 130 A

上升时间 14 ns 91 ns -

输入电容(Ciss) 1850pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 3810pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 70 W 70 W 140 W

下降时间 10.8 ns 23.4 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 70W (Tc) 70W (Tc) -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.0045 Ω - 6.5 mΩ

输入电容 1850 pF - 3810pF @25V

产品系列 - - IRLR3114Z

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.6 mm - 6.73 mm

宽度 6.2 mm - -

高度 2.4 mm - 2.39 mm

工作温度 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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