对比图
型号 STB14NM65N STW11NM65N STB11NM65N
描述 N沟道650 V， 0.33 Ω ， 12一个的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， D2PAK ， I2PAK ， TO- 247 N-channel 650 V, 0.33 Ω, 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247TO-247 N-CH 650V 12AD2PAK N-CH 650V 12A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole -
封装 TO-263-3 TO-247 D2PAK
引脚数 3 - -
极性 N-CH N-CH N-CH
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 12A 12A 12A
耗散功率 125W (Tc) - -
上升时间 13 ns - -
输入电容(Ciss) 1300pF @50V(Vds) - -
下降时间 20 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 125W (Tc) - -
封装 TO-263-3 TO-247 D2PAK
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - -
工作温度 150℃ (TJ) - -