FDC602P和SI3433CDV-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDC602P SI3433CDV-T1-GE3 FDC602P_F095

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC602P  晶体管, MOSFET, P沟道, 5.5 A, -20 V, 35 mohm, -4.5 V, -900 mVP通道20 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFETMOSFET P-CH 20V 5.5A 6SSOT

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 -

封装 TSOT-23-6 TSOP-6 TSOT-23-6

额定电压(DC) -20.0 V - -

额定电流 -5.50 A - -

针脚数 6 6 -

漏源极电阻 0.035 Ω 0.031 Ω -

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 1.6 W 1.6 W 1.6 W

输入电容 1.46 nF - -

栅电荷 14.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 -20.0 V - -

栅源击穿电压 ±12.0 V - -

连续漏极电流(Ids) -5.50 A -5.20 A 5.5A

上升时间 11 ns 22 ns 11 ns

输入电容(Ciss) 1456pF @10V(Vds) 1300pF @10V(Vds) 1456pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 800 mW 3.3 W -

下降时间 11 ns 20 ns 11 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.6W (Ta) 3.3 W 1.6W (Ta)

阈值电压 - 1 V -

长度 3 mm 3.1 mm 2.9 mm

宽度 1.7 mm 1.7 mm 1.6 mm

高度 1 mm 1 mm 1.1 mm

封装 TSOT-23-6 TSOP-6 TSOT-23-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 3000 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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