对比图
型号 FDPF17N60NT SIHP12N60E-GE3 SIHP15N60E-GE3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDPF17N60NT 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.29 ohm, 10 V, 3 VN 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。### 特点低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻（RDS（接通）） 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorN 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。### 特点低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻（RDS（接通）） 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.29 Ω 0.32 Ω 0.23 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 62.5 W 147 W 180 W
阈值电压 3 V 2 V 2 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 17A 12A 15A
上升时间 79 ns 19 ns 26 ns
输入电容(Ciss) 3040pF @25V(Vds) 937pF @100V(Vds) 1350pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 62.5 W 147 W 180 W
下降时间 62 ns 19 ns 22 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 62.5W (Tc) 147 W 180000 mW
长度 10.36 mm 10.51 mm 10.51 mm
宽度 4.9 mm 4.65 mm 4.65 mm
高度 16.07 mm 9.01 mm 9.01 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
最小包装 - 50 50
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -