KSP63BU和KSP63TF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSP63BU KSP63TF MMBTA63

描述 达林顿晶体管 PNP Si Transistor Epitaxial DarlingtonTrans Darlington PNP 30V 0.5A 3Pin TO-92 T/RSOT-23 Plastic-Encapsulate Biploar Transistors

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Micro Commercial Components (美微科)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-226-3 TO-226-3 -

极性 PNP PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V -

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -

最小电流放大倍数(hFE) 10000 @100mA, 5V 10000 @100mA, 5V -

额定功率(Max) 625 mW 625 mW -

耗散功率 625 mW - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

增益带宽 125MHz (Min) - -

耗散功率(Max) 625 mW - -

高度 5.33 mm 5.33 mm -

封装 TO-226-3 TO-226-3 -

长度 4.58 mm - -

宽度 3.86 mm - -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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