MUN2115T1G和MUN2116T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN2115T1G MUN2116T1G MMUN2115LT1G

描述 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors偏置电阻晶体管 Bias Resistor TransistorsON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SC-59-3 SC-59 SOT-23-3

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA 100 mA

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 0.338 W 0.338 W 246 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 160 - 160 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 160 - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 338 mW 338 mW 400 mW

额定功率(Max) - - 400 mW

直流电流增益(hFE) - - 250

长度 2.9 mm - 3.04 mm

宽度 1.5 mm - 1.4 mm

高度 1.09 mm - 1.01 mm

封装 SC-59-3 SC-59 SOT-23-3

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

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