ZXMD63N03XTA和ZXMD63N03XTC

对比图

型号 ZXMD63N03XTA ZXMD63N03XTC

描述 ZXMD63N02X 系列 30 V 0.135 Ohm 双 N-沟道 增强模式 MOSFET -MSOP-8MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8MSOP

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 MSOP-8 SOIC

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V

额定电流 2.40 A 2.40 A

漏源极电阻 135 mΩ 135 mΩ

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 1.25 W 870 mW

输入电容 290 pF 290 pF

栅电荷 8.00 nC 8.00 nC

漏源极电压(Vds) 30 V 30.0 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 2.30 A 2.30 A

上升时间 4.1 ns 4.10 ns

通道数 2 -

阈值电压 1 V -

输入电容(Ciss) 290pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 1.04 W -

下降时间 4.4 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1250 mW -

封装 MSOP-8 SOIC

长度 3.1 mm -

宽度 3.1 mm -

高度 0.95 mm -

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape, Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -