FQP7P20和RFP10P12的区别_FQP7P20代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQP7P20 RFP10P12 2SJ127

描述 200V P沟道MOSFET 200V P-Channel MOSFETN沟道 120V 10APower Field-Effect Transistor, 10A I(D), 120V, 0.25ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Harris HITACHI (日立)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 TO-220-3 TO-220 -

安装方式 Through Hole - -

封装 TO-220-3 TO-220 -

长度 10.67 mm - -

宽度 4.7 mm - -

高度 16.3 mm - -

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

额定电压(DC) -200 V - -

额定电流 -7.30 A - -

漏源极电阻 690 mΩ - -

极性 P-Channel - -

耗散功率 90 W - -

漏源极电压(Vds) 200 V - -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 7.30 A - -

上升时间 110 ns - -

输入电容(Ciss) 770pF @25V(Vds) - -

额定功率(Max) 90 W - -

下降时间 42 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 90W (Tc) - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 NLR - -