对比图
型号 IRF640 IRF640,127 STP19NF20
描述 18A ， 200V ， 0.180 Ohm的N通道功率MOSFET 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETsTO-220AB N-CH 200V 16AN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
封装 - TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - - 3
极性 - N-CH N-Channel
耗散功率 - 136W (Tc) 90 W
漏源极电压(Vds) - 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) - 16A 7.50 A
上升时间 - 45 ns 22 ns
输入电容(Ciss) - 1850pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds)
下降时间 - 38 ns 11 ns
耗散功率(Max) - 136W (Tc) 90000 mW
漏源极电阻 - - 0.15 Ω
阈值电压 - - 3 V
正向电压(Max) - - 1.6 V
额定功率(Max) - - 90 W
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
封装 - TO-220-3 TO-220-3
长度 - - 10.4 mm
宽度 - - 4.6 mm
高度 - - 9.15 mm
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
包装方式 - Rail Tube
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99