对比图
型号 STB15N65M5 TK12P60W STD15N65M5
描述 N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsDPAK N-CH 600V 11.5AN 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-263-3 DPAK TO-252-3
通道数 1 - 1
漏源极电阻 340 mΩ - 340 mΩ
极性 - N-CH N-CH
耗散功率 85 W - 85 W
阈值电压 - - 4 V
漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 650 V
漏源击穿电压 650 V - 650 V
连续漏极电流(Ids) - 11.5A 11A
上升时间 - - 8 ns
输入电容(Ciss) 810pF @100V(Vds) - 816pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 85 W - 85 W
下降时间 - - 11 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃
耗散功率(Max) 85W (Tc) - 85W (Tc)
输入电容 816 pF - -
长度 10.4 mm - 6.6 mm
宽度 9.35 mm - 6.2 mm
高度 4.6 mm - 2.4 mm
封装 TO-263-3 DPAK TO-252-3
材质 - - Silicon
工作温度 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99