IXDI614SI和IXDI614SITR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXDI614SI IXDI614SITR UCC37321D

描述 门驱动器 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET低边 IGBT MOSFET 灌:14A 拉:14AMOSFET & IGBT Drivers, 6A to 10A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - - 15.0V (max)

上升/下降时间 25ns, 18ns 25ns, 18ns 20 ns

输出接口数 1 1 1

输出电压 - - 150 mV

输出电流 - - 9 A

耗散功率 - - 650 mW

上升时间 35 ns 35 ns 35 ns

下降时间 25 ns 25 ns 20 ns

下降时间(Max) - 25 ns 30 ns

上升时间(Max) - 35 ns 70 ns

工作温度(Max) - 125 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 0 ℃

耗散功率(Max) - - 650 mW

电源电压 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V 4V ~ 15V

电源电压(Max) - - 15 V

电源电压(Min) - - 4 V

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.91 mm

高度 - - 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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