CSD25404Q3和CSD25404Q3T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD25404Q3 CSD25404Q3T CSD25310Q2

描述 -20V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON 3x3、6.5mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150-20V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON 3x3、6.5mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 15020V P 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD25310Q2

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 6

封装 VSON-Clip-8 VSON-Clip-8 WSON-FET-6

通道数 1 - 1

针脚数 - - 6

漏源极电阻 150 mΩ - 0.0199 Ω

极性 - P-CH P-Channel

耗散功率 2.8 W 2.8 W 2.9 W

阈值电压 650 mV - 850 mV

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 20 V - 20 V

连续漏极电流(Ids) - 60A 20A

上升时间 8 ns 8 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 2120pF @10V(Vds) 2120pF @10V(Vds) 655pF @10V(Vds)

下降时间 13 ns 13 ns 5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ 40 ℃

耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 96W (Tc) 2.8W (Ta), 96W (Tc) 2.9W (Ta)

长度 3.3 mm 3.3 mm 2 mm

宽度 3.3 mm 3.3 mm 2 mm

高度 1 mm 1 mm 0.75 mm

封装 VSON-Clip-8 VSON-Clip-8 WSON-FET-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 Active 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

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