AUIRFB4410和PSMN9R5-100PS

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRFB4410 PSMN9R5-100PS IRFB4410

描述 INFINEON  AUIRFB4410  晶体管, MOSFET, N沟道, 88 A, 100 V, 0.008 ohm, 10 V, 2 VNXP  PSMN9R5-100PS  晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 100 V, 8.16 mohm, 10 V, 3 VTO-220AB N-CH 100V 96A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

额定功率 200 W - -

通道数 1 - -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.008 Ω 0.00816 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 200 W 211 W 250W (Tc)

阈值电压 2 V 3 V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V - -

连续漏极电流(Ids) 88A - 96A

上升时间 80 ns - -

输入电容(Ciss) 5150pF @50V(Vds) 4454pF @50V(Vds) 5150pF @50V(Vds)

下降时间 50 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 200W (Tc) 211 W 250W (Tc)

额定功率(Max) - 211 W -

长度 10.67 mm 10.3 mm -

宽度 4.83 mm 4.7 mm -

高度 16.51 mm 16 mm -

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

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