APT20N60SC3和FCB20N60

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT20N60SC3 FCB20N60 APT20N60SC3G

描述 D3PAK N-CH 600V 20.7AFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCB20N60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 150 mohm, 10 V, 5 VMOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Fairchild (飞兆/仙童) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管中高压MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 D3PAK TO-263 TO-268-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 20.7 A

耗散功率 - 208 W 208W (Tc)

输入电容 - - 2.44 nF

栅电荷 - - 114 nC

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 20.7A 20.0 A 20.7 A

输入电容(Ciss) - - 2440pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - - 208W (Tc)

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.15 Ω -

极性 N-CH N-Channel -

阈值电压 - 5 V -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

封装 D3PAK TO-263 TO-268-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

包装方式 - Cut Tape (CT) Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

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