对比图
型号 STF12NM60N STF13NM60N STF13NM60N-H
描述 N沟道600V - 0.35ヘ - 10A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFETN 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTO-220FP N-CH 600V 11A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 1 1 -
漏源极电阻 0.35 Ω 360 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 25 W 25 W 25W (Tc)
阈值电压 3 V - -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V 600 V -
连续漏极电流(Ids) 5.00 A 5.50 A 11A
上升时间 9 ns 8 ns 8 ns
输入电容(Ciss) 960pF @50V(Vds) 790pF @50V(Vds) 790pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 25 W 25 W 25 W
下降时间 10 ns 10 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 25W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc)
输入电容 - 790 pF -
长度 10.4 mm 10.4 mm -
宽度 4.6 mm 4.6 mm -
高度 9.3 mm 16.4 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
香港进出口证 - NLR -