对比图
型号 STGB20NB41LZ STGB20NB41LZT4
描述 N沟道固支20A - DPAK内部钳位的PowerMESH IGBT N-CHANNEL CLAMPED 20A - DPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBTSTGB20NB41LZ 系列 N-沟道 442 V 20 A 内部钳位 PowerMESH IGBT-D2PAK
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3
封装 D2PAK TO-263-3
额定电压(DC) - 20.0 V
额定电流 - 20.0 A
针脚数 - 3
耗散功率 - 200 W
输入电容 - 2300 pF
上升时间 - 220 ns
击穿电压(集电极-发射极) - 442 V
热阻 - 62.5 ℃/W
额定功率(Max) - 200 W
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 200000 mW
长度 - 10.4 mm
宽度 - 9.35 mm
高度 - 4.6 mm
封装 D2PAK TO-263-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99