对比图
型号 CY7C1418KV18-250BZI CY7C1418KV18-250BZXC CY7C1418BV18-250BZXC
描述 36兆位的DDR II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst ArchitectureCY7C1418JV18 36 Mb (2 M x 18) 250 MHz 1.8 V DDR-II 2-字突发 SRAM -FBGA-16536兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165 165
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
位数 18 18 18
存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
供电电流 - 430 mA 760 mA
时钟频率 - 250 MHz 250 MHz
存取时间 - 1 ms 0.45 ns
电源电压(Max) - 1.9 V 1.9 V
电源电压(Min) - 1.7 V 1.7 V
高度 0.89 mm 0.89 mm 0.89 mm
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
工作温度 -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free 无铅
ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a -