对比图
型号 PHN203 PHN203,518
描述 双N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET Dual N-channel TrenchMOS logic level FETMOSFET N-CH 30V 6.3A SOT96-1
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 SO-8 SOIC-8
引脚数 - 8
极性 N-CH -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 6.3A -
输入电容(Ciss) 560pF @20V(Vds) 560pF @20V(Vds)
额定功率(Max) 2 W 2 W
通道数 - -
漏源极电阻 - -
耗散功率 - 2 W
漏源击穿电压 - -
上升时间 - 6 ns
下降时间 - 11 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 2000 mW
封装 SO-8 SOIC-8
长度 - -
宽度 - -
高度 - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free