NTR0202PLT3和NTR0202PLT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTR0202PLT3 NTR0202PLT3G MMBF0202PLT1

描述 功率MOSFET -20 V, -400毫安, P沟道SOT- 23封装 Power MOSFET -20 V, -400 mA, P-Channel SOT-23 Package功率MOSFET -20 V, -400毫安, P沟道SOT- 23封装 Power MOSFET −20 V, −400 mA, P−Channel SOT−23 Package功率MOSFET 300毫安, 20伏 Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

引脚数 - 3 -

极性 P-CH P-Channel -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20.0 V

连续漏极电流(Ids) 0.4A 400 mA 300 mA

额定电压(DC) - -20.0 V -20.0 V

额定电流 - -400 mA -300 mA

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 550 mΩ -

耗散功率 - 225 mW -

输入电容 - 70.0 pF -

栅电荷 - 2.18 nC -

漏源击穿电压 - 20 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

上升时间 - 6 ns 1.00 ns

输入电容(Ciss) - 70pF @5V(Vds) -

额定功率(Max) - 225 mW -

下降时间 - 6 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

耗散功率(Max) - 225mW (Ta) -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.3 mm -

高度 - 0.94 mm -

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free Contains Lead

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -

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