对比图
型号 NTR0202PLT3 NTR0202PLT3G MMBF0202PLT1
描述 功率MOSFET -20 V, -400毫安, P沟道SOT- 23封装 Power MOSFET -20 V, -400 mA, P-Channel SOT-23 Package功率MOSFET -20 V, -400毫安, P沟道SOT- 23封装 Power MOSFET −20 V, −400 mA, P−Channel SOT−23 Package功率MOSFET 300毫安, 20伏 Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23
引脚数 - 3 -
极性 P-CH P-Channel -
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20.0 V
连续漏极电流(Ids) 0.4A 400 mA 300 mA
额定电压(DC) - -20.0 V -20.0 V
额定电流 - -400 mA -300 mA
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 550 mΩ -
耗散功率 - 225 mW -
输入电容 - 70.0 pF -
栅电荷 - 2.18 nC -
漏源击穿电压 - 20 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
上升时间 - 6 ns 1.00 ns
输入电容(Ciss) - 70pF @5V(Vds) -
额定功率(Max) - 225 mW -
下降时间 - 6 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - 55 ℃ -
耗散功率(Max) - 225mW (Ta) -
封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23
长度 - 2.9 mm -
宽度 - 1.3 mm -
高度 - 0.94 mm -
产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown
包装方式 - Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Lead Free Contains Lead
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
ECCN代码 - EAR99 -