IPB042N03L G和IPB04N03LB G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB042N03L G IPB04N03LB G IPB04N03LA G

描述 INFINEON  IPB042N03L G  晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 30 V, 3.5 mohm, 10 V, 1 VMOSFET N-CH 30V 80A D2PAKMOSFET N-CH 25V 80A TO-263

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3-2

针脚数 3 - -

漏源极电阻 3.5 mΩ - -

极性 N-Channel - -

耗散功率 79 W 107W (Tc) 107W (Tc)

阈值电压 1 V - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 25 V

上升时间 5.6 ns - -

输入电容(Ciss) 3900pF @15V(Vds) 5203pF @15V(Vds) 3877pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 79 W - 107 W

下降时间 4.4 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 79W (Tc) 107W (Tc) 107W (Tc)

额定电压(DC) - 25.0 V 25.0 V

额定电流 - 80.0 A 80.0 A

输入电容 - 3.88 nF 3.88 nF

栅电荷 - 32.0 nC 32.0 nC

连续漏极电流(Ids) - 80.0 A 80.0 A

长度 10 mm - -

宽度 9.25 mm - -

高度 4.4 mm - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3-2

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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