MJD253T4和MJD253T4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD253T4 MJD253T4G

描述 互补硅塑料功率晶体管 Complementary Silicon Plastic Power TransistorPNP 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) -100 V -100 V

额定电流 -4.00 A -4.00 A

极性 PNP PNP, P-Channel

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V

集电极最大允许电流 4A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @200mA, 1V 40 @200mA, 1V

额定功率(Max) 1.4 W 1.4 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1400 mW 1400 mW

频率 - 40 MHz

无卤素状态 - Halogen Free

针脚数 - 3

耗散功率 - 12.5 W

最大电流放大倍数(hFE) - 180

直流电流增益(hFE) - 40

封装 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm

高度 - 2.38 mm

材质 Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR

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