BLF6G27-10,112和BLF6G27-10G,112

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF6G27-10,112 BLF6G27-10G,112 BLF6G27-10G

描述 Trans RF MOSFET N-CH 65V 3.5A 3Pin CDFM BulkRF Power Transistor, 2.3 to 2.7GHz, 10W, 19dB, 28V, LDMOS, SOT-975CWiMAX的功率LDMOS晶体管 WiMAX power LDMOS transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Ampleon USA NXP (恩智浦)

分类 晶体管MOS管晶体管

基础参数对比

引脚数 - 3 3

封装 SOT-975-2 SOT-975 CDFM

安装方式 Surface Mount - -

频率 - 2.5GHz ~ 2.7GHz -

输出功率 - 2 W -

增益 - 19 dB -

测试电流 - 130 mA -

工作温度(Max) 150 ℃ 225 ℃ -

工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃ -

额定电压 - 65 V -

电源电压 - 28 V -

漏源极电阻 1.256 Ω - -

漏源击穿电压 65 V - -

封装 SOT-975-2 SOT-975 CDFM

长度 6.9 mm - -

宽度 6.9 mm - -

高度 3.63 mm - -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -

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