DS1220Y-100IND+和DS1220Y-100+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1220Y-100IND+ DS1220Y-100+ DS1220AB-100

描述 IC NVSRAM 16Kbit 100NS 24DIPIC SRAM 16Kbit 100NS 24DIP16K非易失SRAM 16k Nonvolatile SRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 24

封装 DIP-24 PDIP-24 DIP-24

电源电压(DC) - - 5.00 V, 5.25 V (max)

时钟频率 - - 100 GHz

存取时间 - 100 ns 100 ns

内存容量 - - 2000 B

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V

工作温度(Max) - 70 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -

封装 DIP-24 PDIP-24 DIP-24

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free

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