2N5686G和JAN2N5686

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N5686G JAN2N5686 2N5686

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N5686G  双极晶体管NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORMULTICOMP  2N5686  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 2 MHz, 300 W, 50 A, 15 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Microsemi (美高森美) Multicomp

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 3 2

封装 TO-204-2 TO-3 TO-3

针脚数 2 - 2

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 300 mW - 300 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80.0 V

最小电流放大倍数(hFE) 15 - 5

直流电流增益(hFE) 2 - 15

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃

频率 2 MHz - -

额定电压(DC) 80.0 V - -

额定电流 50.0 A - -

热阻 0.584℃/W (RθJC) - -

集电极最大允许电流 50A 50A -

最大电流放大倍数(hFE) 60 - -

额定功率(Max) 300 W - -

耗散功率(Max) 300000 mW 300000 mW -

封装 TO-204-2 TO-3 TO-3

长度 38.86 mm - -

宽度 26.67 mm - -

高度 8.51 mm - -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ - -65℃ ~ 200℃

材质 Silicon Silicon -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 2016/06/20 - -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tray Tray -

ECCN代码 EAR99 - -

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