MJD31CT4和MJD31CT4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD31CT4 MJD31CT4G MJD31C

描述 STMICROELECTRONICS  MJD31CT4  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 15 W, 3 A, 10 hFEON SEMICONDUCTOR  MJD31CT4G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE低电压NPN功率晶体管 Low voltage NPN power transistor

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 3.00 A 3.00 A 3.00 A

针脚数 3 3 -

极性 NPN NPN -

耗散功率 15 W 15 W 15 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

最小电流放大倍数(hFE) 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V

额定功率(Max) 15 W 1.56 W 15 W

直流电流增益(hFE) 10 10 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 15000 mW 1560 mW -

频率 - 3 MHz -

增益频宽积 - 3 MHz -

集电极最大允许电流 - 3A -

长度 6.6 mm 6.73 mm 6.6 mm

宽度 6.2 mm 6.22 mm 6.2 mm

高度 2.4 mm 2.38 mm 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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