MJE15035和MJE15035G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJE15035 MJE15035G

描述 4.0安培功率晶体管互补硅350伏50瓦 4.0 AMPERES POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 350 VOLTS 50 WATTSON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) -350 V -350 V

额定电流 -4.00 A -4.00 A

极性 PNP PNP, P-Channel

耗散功率 50 W 50 W

增益频宽积 30 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 350 V 350 V

集电极最大允许电流 4A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 10 @2A, 5V 10 @2A, 5V

额定功率(Max) 2 W 2 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW

频率 - 30 MHz

针脚数 - 3

直流电流增益(hFE) - 100

长度 10.28 mm 10.28 mm

宽度 4.82 mm 4.83 mm

高度 9.28 mm 9.28 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

材质 Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99

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