对比图
型号 BSR16 MMBT2907ALT1G MMBT2907A_D87Z
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSR16.. 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 350 mW, -800 mA, 100 hFEON SEMICONDUCTOR MMBT2907ALT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 200 hFEPN2907A / MMBT2907A / PZT2907A 60 V PNP通用晶体管 PN2907A / MMBT2907A / PZT2907A 60 V PNP General Purpose Transistor
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 200 MHz 200 MHz 200 MHz
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 350 mW 225 mW 0.35 W
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V
集电极最大允许电流 - 0.6A 0.8A
最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V
额定功率(Max) 350 mW 300 mW 350 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 350 mW 300 mW 350 mW
额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -
额定电流 -800 mA -600 mA -
额定功率 350 mW 300 mW -
针脚数 3 3 -
输入电容 - 30 pF -
上升时间 - 40 ns -
直流电流增益(hFE) 100 200 -
下降时间 - 30 ns -
增益频宽积 200 MHz - -
最大电流放大倍数(hFE) 300 - -
高度 0.93 mm 0.94 mm 0.93 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
长度 2.92 mm 3.04 mm -
宽度 1.3 mm 1.3 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
香港进出口证 - NLR -