对比图
描述 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 200 mA, 20 V, 0.8 ohm, 2.5 V, 1 VMosfet n/p-Ch 20V 0.18A/0.1A Es6
数据手册 --
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Toshiba (东芝)
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-563 ES-6
引脚数 - 6
针脚数 6 -
漏源极电阻 0.8 Ω -
耗散功率 150 mW 150 mW
阈值电压 1 V -
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V
输入电容(Ciss) 25pF @10V(Vds) 9.5pF @3V(Vds)
额定功率(Max) 150 mW 150 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 150 mW
封装 SOT-563 ES-6
长度 - 1.6 mm
宽度 - 1.2 mm
高度 - 0.55 mm
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 - Silicon
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free