对比图
型号 IRF7204PBF STS5PF30L IRF7204TRPBF
描述 P沟道 20V 5.3AP 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsMOSFET, Power; P-Ch; VDSS -20V; RDS(ON) 0.06Ω; ID -5.3A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-12V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) -20.0 V -30.0 V -20.0 V
额定电流 -5.30 A -5.00 A -5.30 A
漏源极电阻 0.1 Ω 0.045 Ω 0.1 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
产品系列 IRF7204 - IRF7204
漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 20 V
连续漏极电流(Ids) -5.30 A 5.00 A -5.30 A
上升时间 26 ns 35 ns 26.0 ns
热阻 50℃/W (RθJC) - 50℃/W (RθJC)
输入电容(Ciss) 860pF @10V(Vds) 1350pF @25V(Vds) 860pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
漏源击穿电压 -20.0 V 30.0 V -
下降时间 68 ns 35 ns -
耗散功率(Max) 2500 mW 2500 mW -
阈值电压 - 1.6 V -
栅源击穿电压 - ±16.0 V -
长度 5 mm 5 mm 5 mm
高度 1.5 mm 1.25 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
宽度 - 4 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -