FDP8896和ISL9N307AP3

对比图

型号 FDP8896 ISL9N307AP3 ISL9N306AP3

描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETsN沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - -

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 92.0 A - -

通道数 1 - 1

漏源极电阻 59 mΩ 11.5 mΩ 9.5 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 80 W 100 W 125 W

输入电容 2.52 nF - -

栅电荷 48.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V 30.0 V 30 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 92.0 A 75.0 A 75.0 A

上升时间 103 ns - -

输入电容(Ciss) 2525pF @15V(Vds) - -

额定功率(Max) 80 W - -

下降时间 44 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃

耗散功率(Max) 80 W - -

长度 10.67 mm - 10.67 mm

宽度 4.83 mm - 4.7 mm

高度 9.4 mm - 16.3 mm

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 NLR - -