对比图
型号 IPI80P03P4L-04 IPP100P03P3L-04 IPP80P03P4L-04
描述 Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能的OptiMOS -P沟道功率三极管 OptiMOS-P Trench Power-TransistorINFINEON IPP80P03P4L-04 晶体管, MOSFET, P沟道, -80 A, -30 V, 0.0037 ohm, -10 V, -1.5 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.0037 Ω
极性 P-CH - P-Channel
耗散功率 - 200 W 137 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 80A - 80A
上升时间 - 45 ns 11 ns
输入电容(Ciss) 11300pF @25V(Vds) 9300pF @25V(Vds) 11300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 137 W - 137 W
下降时间 - 180 ns 40 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 137 W 200W (Tc) 137 W
通道数 1 - -
长度 10 mm 10 mm 10 mm
宽度 4.4 mm 4.4 mm 4.4 mm
高度 9.25 mm 15.65 mm 15.65 mm
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17