AP4224GM-HF和STS13N3LLH5

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AP4224GM-HF STS13N3LLH5

描述 SO N-CH 30V 10ASO N-CH 30V 13A

数据手册 --

制造商 Advanced Power Electronics (富鼎先进电子) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 SO SOIC-8

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 8

极性 N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 10A 13A

耗散功率 - 2.7 W

上升时间 - 14.5 ns

输入电容(Ciss) - 1500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2.7 W

下降时间 - 4.5 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.7W (Tc)

封装 SO SOIC-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 - Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

ECCN代码 - EAR99

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