对比图
型号 IXDR30N120D1 IXSN35N120AU1 STGP10NB60S
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXDR30N120D1 单晶体管, IGBT, 隔离, 50 A, 2.4 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚Trans IGBT Chip N-CH 1200V 70A 300000mW 4Pin SOT-227BSTMICROELECTRONICS STGP10NB60S 单晶体管, IGBT, 29 A, 1.35 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 引脚
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 4 3
封装 TO-247 SOT-227-4 TO-220-3
耗散功率 200 W 300000 mW 80 W
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 1200 V 600 V
输入电容(Cies) - 3.9nF @25V -
额定功率(Max) 200 W 300 W 80 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 200000 mW 300000 mW 80000 mW
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 10.0 A
针脚数 3 - 3
极性 N-Channel - N-Channel
漏源极电压(Vds) - - 600 V
连续漏极电流(Ids) - - 10.0 A
上升时间 70 ns - -
反向恢复时间 40 ns - -
下降时间 70 ns - -
长度 16.13 mm 38.23 mm 10.4 mm
宽度 5.21 mm 25.42 mm 4.6 mm
高度 21.34 mm 9.6 mm 9.15 mm
封装 TO-247 SOT-227-4 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99