APT10035JLL和IXTN21N100

对比图

型号 APT10035JLL IXTN21N100 APT10035JFLL

描述 Trans MOSFET N-CH 1kV 25A 4Pin SOT-227SOT-227B N-CH 1000V 21ASOT-227 N-CH 1000V 25A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Screw Screw Screw

引脚数 4 3 4

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227

额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV 1.00 kV

额定电流 28.0 A 21.0 A 28.0 A

极性 - N-Channel N-CH

耗散功率 520 W 520W (Tc) 520000 mW

输入电容 5.18 nF - 5.18 nF

栅电荷 186 nC - 186 nC

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1.00 kV

连续漏极电流(Ids) 25.0 A 21.0 A 25.0 A

上升时间 10 ns 50.0 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 5185pF @25V(Vds) 8400pF @25V(Vds) 5185pF @25V(Vds)

下降时间 9 ns - 9 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 520W (Tc) 520W (Tc) 520000 mW

通道数 1 - -

漏源极电阻 350 mΩ - -

阈值电压 3 V - -

漏源击穿电压 1000 V - -

额定功率(Max) 520 W 520 W -

额定功率 - 520 W -

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227

长度 38 mm - -

宽度 25.2 mm - -

高度 8.9 mm - -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -