对比图
描述 RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETsRF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 晶体管晶体管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 3 3
封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF
频率 870 MHz 870 MHz
耗散功率 95000 mW 95 W
漏源击穿电压 - 40 V
输出功率 15 W 15 W
增益 17 dB 17 dB
测试电流 350 mA 350 mA
输入电容(Ciss) 76pF @12.5V(Vds) 76pF @12.5V(Vds)
工作温度(Max) 165 ℃ 165 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 95000 mW 95000 mW
额定电压 40 V 40 V
长度 - 7.5 mm
宽度 - 9.4 mm
高度 - 3.5 mm
封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF
产品生命周期 Active Unknown
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99
香港进出口证 NLR -
工作温度 -65℃ ~ 150℃ -