IXKH47N60C和STW55NM60ND

对比图

型号 IXKH47N60C STW55NM60ND APT47N60BC3G

描述 Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3Pin(3+Tab) TO-247STMICROELECTRONICS  STW55NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 51 A, 600 V, 0.047 ohm, 10 V, 4 V超级结MOSFET Super Junction MOSFET

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 60 mΩ 0.047 Ω -

极性 - N-Channel N-CH

耗散功率 - 350 W 417 W

阈值电压 4 V 4 V -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

上升时间 27 ns 68 ns 27 ns

输入电容(Ciss) - 5800pF @50V(Vds) 7015pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 350 W 417 W

下降时间 10 ns 96 ns 8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 350W (Tc) 417W (Tc)

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 47.0 A

输入电容 - - 7.01 nF

栅电荷 - - 260 nC

连续漏极电流(Ids) - - 47.0 A

通道数 1 - -

漏源击穿电压 600 V - -

长度 16.24 mm 15.75 mm -

宽度 5.3 mm 5.15 mm -

高度 21.45 mm 20.15 mm -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -