对比图
型号 SPP20N65C3 STW28N65M2 STI23NM60ND
描述 650V,20.7A,N沟道功率MOSFETMOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MOSFET，已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-262-3
耗散功率 208 W 170 W 150 W
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 600 V
上升时间 5 ns 10 ns 19 ns
输入电容(Ciss) 2400pF @25V(Vds) 1440pF @100V(Vds) 2050pF @50V(Vds)
下降时间 4.5 ns 8.8 ns 42 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 170W (Tc) 150W (Tc)
通道数 1 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 190 mΩ 0.15 Ω -
阈值电压 - 2 V -
额定电压(DC) 650 V - -
额定电流 20.7 A - -
极性 N-Channel - -
输入电容 2.40 nF - -
栅电荷 114 nC - -
漏源击穿电压 650 V - -
连续漏极电流(Ids) 20.7 A - -
额定功率(Max) 208 W - -
长度 10 mm 15.75 mm 10.4 mm
宽度 4.4 mm 5.15 mm 4.6 mm
高度 15.65 mm 20.15 mm 10.75 mm
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -