W3E32M72S-266SBI和W3E32M72SR-266SBI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 W3E32M72S-266SBI W3E32M72SR-266SBI

描述 DRAM Module DDR SDRAM 256MbyteDRAM Module DDR SDRAM 256Mbyte

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Mercury Systems

分类 RAM芯片

基础参数对比

引脚数 208 208

封装 BGA BGA

存取时间(Max) 0.75 ns 0.75 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

封装 BGA BGA

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Bulk -

RoHS标准 Non-Compliant

ECCN代码 - 4A994.a

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台